Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2807PBF
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Číslo dílu
IRF2807PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29652 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2807PBF
IRF2807PBF Elektronické komponenty
IRF2807PBF Odbyt
IRF2807PBF Dodavatel
IRF2807PBF Distributor
IRF2807PBF Datová tabulka
IRF2807PBF Fotky
IRF2807PBF Cena
IRF2807PBF Nabídka
IRF2807PBF Nejnižší cena
IRF2807PBF Vyhledávání
IRF2807PBF Nákup
IRF2807PBF Chip