Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2903ZLPBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
Číslo dílu
IRF2903ZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
231W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6320pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12537 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2903ZLPBF
IRF2903ZLPBF Elektronické komponenty
IRF2903ZLPBF Odbyt
IRF2903ZLPBF Dodavatel
IRF2903ZLPBF Distributor
IRF2903ZLPBF Datová tabulka
IRF2903ZLPBF Fotky
IRF2903ZLPBF Cena
IRF2903ZLPBF Nabídka
IRF2903ZLPBF Nejnižší cena
IRF2903ZLPBF Vyhledávání
IRF2903ZLPBF Nákup
IRF2903ZLPBF Chip