Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Číslo dílu
IRF2907ZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44856 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2907ZLPBF
IRF2907ZLPBF Elektronické komponenty
IRF2907ZLPBF Odbyt
IRF2907ZLPBF Dodavatel
IRF2907ZLPBF Distributor
IRF2907ZLPBF Datová tabulka
IRF2907ZLPBF Fotky
IRF2907ZLPBF Cena
IRF2907ZLPBF Nabídka
IRF2907ZLPBF Nejnižší cena
IRF2907ZLPBF Vyhledávání
IRF2907ZLPBF Nákup
IRF2907ZLPBF Chip