IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Číslo dílu
IRF40H210
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5406pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7410 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF40H210
IRF40H210 Elektronické komponenty
IRF40H210 Odbyt
IRF40H210 Dodavatel
IRF40H210 Distributor
IRF40H210 Datová tabulka
IRF40H210 Fotky
IRF40H210 Cena
IRF40H210 Nabídka
IRF40H210 Nejnižší cena
IRF40H210 Vyhledávání
IRF40H210 Nákup
IRF40H210 Chip