Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Číslo dílu
IRF40R207
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44512 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF40R207
IRF40R207 Elektronické komponenty
IRF40R207 Odbyt
IRF40R207 Dodavatel
IRF40R207 Distributor
IRF40R207 Datová tabulka
IRF40R207 Fotky
IRF40R207 Cena
IRF40R207 Nabídka
IRF40R207 Nejnižší cena
IRF40R207 Vyhledávání
IRF40R207 Nákup
IRF40R207 Chip