Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF4104GPBF
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
Číslo dílu
IRF4104GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35355 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF4104GPBF
IRF4104GPBF Elektronické komponenty
IRF4104GPBF Odbyt
IRF4104GPBF Dodavatel
IRF4104GPBF Distributor
IRF4104GPBF Datová tabulka
IRF4104GPBF Fotky
IRF4104GPBF Cena
IRF4104GPBF Nabídka
IRF4104GPBF Nejnižší cena
IRF4104GPBF Vyhledávání
IRF4104GPBF Nákup
IRF4104GPBF Chip