Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Číslo dílu
IRF5210PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29497 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5210PBF
IRF5210PBF Elektronické komponenty
IRF5210PBF Odbyt
IRF5210PBF Dodavatel
IRF5210PBF Distributor
IRF5210PBF Datová tabulka
IRF5210PBF Fotky
IRF5210PBF Cena
IRF5210PBF Nabídka
IRF5210PBF Nejnižší cena
IRF5210PBF Vyhledávání
IRF5210PBF Nákup
IRF5210PBF Chip