Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Číslo dílu
IRF510PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37090 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF510PBF
IRF510PBF Elektronické komponenty
IRF510PBF Odbyt
IRF510PBF Dodavatel
IRF510PBF Distributor
IRF510PBF Datová tabulka
IRF510PBF Fotky
IRF510PBF Cena
IRF510PBF Nabídka
IRF510PBF Nejnižší cena
IRF510PBF Vyhledávání
IRF510PBF Nákup
IRF510PBF Chip