Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF510S
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Číslo dílu
IRF510S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17568 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF510S
IRF510S Elektronické komponenty
IRF510S Odbyt
IRF510S Dodavatel
IRF510S Distributor
IRF510S Datová tabulka
IRF510S Fotky
IRF510S Cena
IRF510S Nabídka
IRF510S Nejnižší cena
IRF510S Vyhledávání
IRF510S Nákup
IRF510S Chip