IRF5851TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5851TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
960mW
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A, 2.2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27008 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5851TRPBF
IRF5851TRPBF Elektronické komponenty
IRF5851TRPBF Odbyt
IRF5851TRPBF Dodavatel
IRF5851TRPBF Distributor
IRF5851TRPBF Datová tabulka
IRF5851TRPBF Fotky
IRF5851TRPBF Cena
IRF5851TRPBF Nabídka
IRF5851TRPBF Nejnižší cena
IRF5851TRPBF Vyhledávání
IRF5851TRPBF Nákup
IRF5851TRPBF Chip