IRF5852TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5852TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
960mW
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33407 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5852TRPBF
IRF5852TRPBF Elektronické komponenty
IRF5852TRPBF Odbyt
IRF5852TRPBF Dodavatel
IRF5852TRPBF Distributor
IRF5852TRPBF Datová tabulka
IRF5852TRPBF Fotky
IRF5852TRPBF Cena
IRF5852TRPBF Nabídka
IRF5852TRPBF Nejnižší cena
IRF5852TRPBF Vyhledávání
IRF5852TRPBF Nákup
IRF5852TRPBF Chip