Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8010SPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Číslo dílu
IRF8010SPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
260W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8010SPBF
IRF8010SPBF Elektronické komponenty
IRF8010SPBF Odbyt
IRF8010SPBF Dodavatel
IRF8010SPBF Distributor
IRF8010SPBF Datová tabulka
IRF8010SPBF Fotky
IRF8010SPBF Cena
IRF8010SPBF Nabídka
IRF8010SPBF Nejnižší cena
IRF8010SPBF Vyhledávání
IRF8010SPBF Nákup
IRF8010SPBF Chip