IRF8010STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Číslo dílu
IRF8010STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
260W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32390 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8010STRLPBF
IRF8010STRLPBF Elektronické komponenty
IRF8010STRLPBF Odbyt
IRF8010STRLPBF Dodavatel
IRF8010STRLPBF Distributor
IRF8010STRLPBF Datová tabulka
IRF8010STRLPBF Fotky
IRF8010STRLPBF Cena
IRF8010STRLPBF Nabídka
IRF8010STRLPBF Nejnižší cena
IRF8010STRLPBF Vyhledávání
IRF8010STRLPBF Nákup
IRF8010STRLPBF Chip