IRF8113GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8113GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28018 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8113GTRPBF
IRF8113GTRPBF Elektronické komponenty
IRF8113GTRPBF Odbyt
IRF8113GTRPBF Dodavatel
IRF8113GTRPBF Distributor
IRF8113GTRPBF Datová tabulka
IRF8113GTRPBF Fotky
IRF8113GTRPBF Cena
IRF8113GTRPBF Nabídka
IRF8113GTRPBF Nejnižší cena
IRF8113GTRPBF Vyhledávání
IRF8113GTRPBF Nákup
IRF8113GTRPBF Chip