Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8113PBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8113PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43032 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8113PBF
IRF8113PBF Elektronické komponenty
IRF8113PBF Odbyt
IRF8113PBF Dodavatel
IRF8113PBF Distributor
IRF8113PBF Datová tabulka
IRF8113PBF Fotky
IRF8113PBF Cena
IRF8113PBF Nabídka
IRF8113PBF Nejnižší cena
IRF8113PBF Vyhledávání
IRF8113PBF Nákup
IRF8113PBF Chip