Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8252PBF
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
Číslo dílu
IRF8252PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5305pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14763 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8252PBF
IRF8252PBF Elektronické komponenty
IRF8252PBF Odbyt
IRF8252PBF Dodavatel
IRF8252PBF Distributor
IRF8252PBF Datová tabulka
IRF8252PBF Fotky
IRF8252PBF Cena
IRF8252PBF Nabídka
IRF8252PBF Nejnižší cena
IRF8252PBF Vyhledávání
IRF8252PBF Nákup
IRF8252PBF Chip