Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8252TRPBF-1
MOSFET N-CH 25V 25A
Číslo dílu
IRF8252TRPBF-1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5305pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47418 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8252TRPBF-1
IRF8252TRPBF-1 Elektronické komponenty
IRF8252TRPBF-1 Odbyt
IRF8252TRPBF-1 Dodavatel
IRF8252TRPBF-1 Distributor
IRF8252TRPBF-1 Datová tabulka
IRF8252TRPBF-1 Fotky
IRF8252TRPBF-1 Cena
IRF8252TRPBF-1 Nabídka
IRF8252TRPBF-1 Nejnižší cena
IRF8252TRPBF-1 Vyhledávání
IRF8252TRPBF-1 Nákup
IRF8252TRPBF-1 Chip