Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8313TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24624 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8313TRPBF
IRF8313TRPBF Elektronické komponenty
IRF8313TRPBF Odbyt
IRF8313TRPBF Dodavatel
IRF8313TRPBF Distributor
IRF8313TRPBF Datová tabulka
IRF8313TRPBF Fotky
IRF8313TRPBF Cena
IRF8313TRPBF Nabídka
IRF8313TRPBF Nejnižší cena
IRF8313TRPBF Vyhledávání
IRF8313TRPBF Nákup
IRF8313TRPBF Chip