Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8327STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Číslo dílu
IRF8327STR1PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SQ
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.3 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30935 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8327STR1PBF
IRF8327STR1PBF Elektronické komponenty
IRF8327STR1PBF Odbyt
IRF8327STR1PBF Dodavatel
IRF8327STR1PBF Distributor
IRF8327STR1PBF Datová tabulka
IRF8327STR1PBF Fotky
IRF8327STR1PBF Cena
IRF8327STR1PBF Nabídka
IRF8327STR1PBF Nejnižší cena
IRF8327STR1PBF Vyhledávání
IRF8327STR1PBF Nákup
IRF8327STR1PBF Chip