IRF8513TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8513TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.5W, 2.4W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A, 11A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
766pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10337 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8513TRPBF
IRF8513TRPBF Elektronické komponenty
IRF8513TRPBF Odbyt
IRF8513TRPBF Dodavatel
IRF8513TRPBF Distributor
IRF8513TRPBF Datová tabulka
IRF8513TRPBF Fotky
IRF8513TRPBF Cena
IRF8513TRPBF Nabídka
IRF8513TRPBF Nejnižší cena
IRF8513TRPBF Vyhledávání
IRF8513TRPBF Nákup
IRF8513TRPBF Chip