Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8707GPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8707GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5243 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8707GPBF
IRF8707GPBF Elektronické komponenty
IRF8707GPBF Odbyt
IRF8707GPBF Dodavatel
IRF8707GPBF Distributor
IRF8707GPBF Datová tabulka
IRF8707GPBF Fotky
IRF8707GPBF Cena
IRF8707GPBF Nabídka
IRF8707GPBF Nejnižší cena
IRF8707GPBF Vyhledávání
IRF8707GPBF Nákup
IRF8707GPBF Chip