Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Číslo dílu
IRF8788PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5720pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6175 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8788PBF
IRF8788PBF Elektronické komponenty
IRF8788PBF Odbyt
IRF8788PBF Dodavatel
IRF8788PBF Distributor
IRF8788PBF Datová tabulka
IRF8788PBF Fotky
IRF8788PBF Cena
IRF8788PBF Nabídka
IRF8788PBF Nejnižší cena
IRF8788PBF Vyhledávání
IRF8788PBF Nákup
IRF8788PBF Chip