Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8910PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25503 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8910PBF
IRF8910PBF Elektronické komponenty
IRF8910PBF Odbyt
IRF8910PBF Dodavatel
IRF8910PBF Distributor
IRF8910PBF Datová tabulka
IRF8910PBF Fotky
IRF8910PBF Cena
IRF8910PBF Nabídka
IRF8910PBF Nejnižší cena
IRF8910PBF Vyhledávání
IRF8910PBF Nákup
IRF8910PBF Chip