IRF8910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8910TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8717 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8910TRPBF
IRF8910TRPBF Elektronické komponenty
IRF8910TRPBF Odbyt
IRF8910TRPBF Dodavatel
IRF8910TRPBF Distributor
IRF8910TRPBF Datová tabulka
IRF8910TRPBF Fotky
IRF8910TRPBF Cena
IRF8910TRPBF Nabídka
IRF8910TRPBF Nejnižší cena
IRF8910TRPBF Vyhledávání
IRF8910TRPBF Nákup
IRF8910TRPBF Chip