Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9310PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5250pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36222 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9310PBF
IRF9310PBF Elektronické komponenty
IRF9310PBF Odbyt
IRF9310PBF Dodavatel
IRF9310PBF Distributor
IRF9310PBF Datová tabulka
IRF9310PBF Fotky
IRF9310PBF Cena
IRF9310PBF Nabídka
IRF9310PBF Nejnižší cena
IRF9310PBF Vyhledávání
IRF9310PBF Nákup
IRF9310PBF Chip