IRF9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9310TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5250pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46521 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9310TRPBF
IRF9310TRPBF Elektronické komponenty
IRF9310TRPBF Odbyt
IRF9310TRPBF Dodavatel
IRF9310TRPBF Distributor
IRF9310TRPBF Datová tabulka
IRF9310TRPBF Fotky
IRF9310TRPBF Cena
IRF9310TRPBF Nabídka
IRF9310TRPBF Nejnižší cena
IRF9310TRPBF Vyhledávání
IRF9310TRPBF Nákup
IRF9310TRPBF Chip