IRF9910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9910TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A, 12A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37181 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9910TRPBF
IRF9910TRPBF Elektronické komponenty
IRF9910TRPBF Odbyt
IRF9910TRPBF Dodavatel
IRF9910TRPBF Distributor
IRF9910TRPBF Datová tabulka
IRF9910TRPBF Fotky
IRF9910TRPBF Cena
IRF9910TRPBF Nabídka
IRF9910TRPBF Nejnižší cena
IRF9910TRPBF Vyhledávání
IRF9910TRPBF Nákup
IRF9910TRPBF Chip