Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9952PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9952PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22493 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9952PBF
IRF9952PBF Elektronické komponenty
IRF9952PBF Odbyt
IRF9952PBF Dodavatel
IRF9952PBF Distributor
IRF9952PBF Datová tabulka
IRF9952PBF Fotky
IRF9952PBF Cena
IRF9952PBF Nabídka
IRF9952PBF Nejnižší cena
IRF9952PBF Vyhledávání
IRF9952PBF Nákup
IRF9952PBF Chip