Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9952TR
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9952TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14716 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9952TR
IRF9952TR Elektronické komponenty
IRF9952TR Odbyt
IRF9952TR Dodavatel
IRF9952TR Distributor
IRF9952TR Datová tabulka
IRF9952TR Fotky
IRF9952TR Cena
IRF9952TR Nabídka
IRF9952TR Nejnižší cena
IRF9952TR Vyhledávání
IRF9952TR Nákup
IRF9952TR Chip