IRF9952TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9952TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30940 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF Elektronické komponenty
IRF9952TRPBF Odbyt
IRF9952TRPBF Dodavatel
IRF9952TRPBF Distributor
IRF9952TRPBF Datová tabulka
IRF9952TRPBF Fotky
IRF9952TRPBF Cena
IRF9952TRPBF Nabídka
IRF9952TRPBF Nejnižší cena
IRF9952TRPBF Vyhledávání
IRF9952TRPBF Nákup
IRF9952TRPBF Chip