Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH3702TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Číslo dílu
IRFH3702TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta), 42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48047 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH3702TR2PBF
IRFH3702TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH3702TR2PBF Odbyt
IRFH3702TR2PBF Dodavatel
IRFH3702TR2PBF Distributor
IRFH3702TR2PBF Datová tabulka
IRFH3702TR2PBF Fotky
IRFH3702TR2PBF Cena
IRFH3702TR2PBF Nabídka
IRFH3702TR2PBF Nejnižší cena
IRFH3702TR2PBF Vyhledávání
IRFH3702TR2PBF Nákup
IRFH3702TR2PBF Chip