IRFH3707TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Číslo dílu
IRFH3707TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48254 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH3707TR2PBF
IRFH3707TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH3707TR2PBF Odbyt
IRFH3707TR2PBF Dodavatel
IRFH3707TR2PBF Distributor
IRFH3707TR2PBF Datová tabulka
IRFH3707TR2PBF Fotky
IRFH3707TR2PBF Cena
IRFH3707TR2PBF Nabídka
IRFH3707TR2PBF Nejnižší cena
IRFH3707TR2PBF Vyhledávání
IRFH3707TR2PBF Nákup
IRFH3707TR2PBF Chip