IRFH4257DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Číslo dílu
IRFH4257DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
25W, 28W
Dodavatelský balíček zařízení
Dual PQFN (5x4)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1321pF @ 13V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16813 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH4257DTRPBF
IRFH4257DTRPBF Elektronické komponenty
IRFH4257DTRPBF Odbyt
IRFH4257DTRPBF Dodavatel
IRFH4257DTRPBF Distributor
IRFH4257DTRPBF Datová tabulka
IRFH4257DTRPBF Fotky
IRFH4257DTRPBF Cena
IRFH4257DTRPBF Nabídka
IRFH4257DTRPBF Nejnižší cena
IRFH4257DTRPBF Vyhledávání
IRFH4257DTRPBF Nákup
IRFH4257DTRPBF Chip