Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5006TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH5006TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4175pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13798 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5006TR2PBF
IRFH5006TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5006TR2PBF Odbyt
IRFH5006TR2PBF Dodavatel
IRFH5006TR2PBF Distributor
IRFH5006TR2PBF Datová tabulka
IRFH5006TR2PBF Fotky
IRFH5006TR2PBF Cena
IRFH5006TR2PBF Nabídka
IRFH5006TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5006TR2PBF Vyhledávání
IRFH5006TR2PBF Nákup
IRFH5006TR2PBF Chip