IRFH5110TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH5110TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3152pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5110TR2PBF
IRFH5110TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5110TR2PBF Odbyt
IRFH5110TR2PBF Dodavatel
IRFH5110TR2PBF Distributor
IRFH5110TR2PBF Datová tabulka
IRFH5110TR2PBF Fotky
IRFH5110TR2PBF Cena
IRFH5110TR2PBF Nabídka
IRFH5110TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5110TR2PBF Vyhledávání
IRFH5110TR2PBF Nákup
IRFH5110TR2PBF Chip