IRFH5210TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH5210TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27418 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5210TR2PBF
IRFH5210TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5210TR2PBF Odbyt
IRFH5210TR2PBF Dodavatel
IRFH5210TR2PBF Distributor
IRFH5210TR2PBF Datová tabulka
IRFH5210TR2PBF Fotky
IRFH5210TR2PBF Cena
IRFH5210TR2PBF Nabídka
IRFH5210TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5210TR2PBF Vyhledávání
IRFH5210TR2PBF Nákup
IRFH5210TR2PBF Chip