Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5215TR2PBF
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Číslo dílu
IRFH5215TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
58 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5474 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5215TR2PBF
IRFH5215TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5215TR2PBF Odbyt
IRFH5215TR2PBF Dodavatel
IRFH5215TR2PBF Distributor
IRFH5215TR2PBF Datová tabulka
IRFH5215TR2PBF Fotky
IRFH5215TR2PBF Cena
IRFH5215TR2PBF Nabídka
IRFH5215TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5215TR2PBF Vyhledávání
IRFH5215TR2PBF Nákup
IRFH5215TR2PBF Chip