IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH5302TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38807 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5302TRPBF Odbyt
IRFH5302TRPBF Dodavatel
IRFH5302TRPBF Distributor
IRFH5302TRPBF Datová tabulka
IRFH5302TRPBF Fotky
IRFH5302TRPBF Cena
IRFH5302TRPBF Nabídka
IRFH5302TRPBF Nejnižší cena
IRFH5302TRPBF Vyhledávání
IRFH5302TRPBF Nákup
IRFH5302TRPBF Chip