IRFH6200TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH6200TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10890pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37668 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH6200TR2PBF
IRFH6200TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH6200TR2PBF Odbyt
IRFH6200TR2PBF Dodavatel
IRFH6200TR2PBF Distributor
IRFH6200TR2PBF Datová tabulka
IRFH6200TR2PBF Fotky
IRFH6200TR2PBF Cena
IRFH6200TR2PBF Nabídka
IRFH6200TR2PBF Nejnižší cena
IRFH6200TR2PBF Vyhledávání
IRFH6200TR2PBF Nákup
IRFH6200TR2PBF Chip