Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH7110TR2PBF
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Číslo dílu
IRFH7110TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30246 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7110TR2PBF
IRFH7110TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH7110TR2PBF Odbyt
IRFH7110TR2PBF Dodavatel
IRFH7110TR2PBF Distributor
IRFH7110TR2PBF Datová tabulka
IRFH7110TR2PBF Fotky
IRFH7110TR2PBF Cena
IRFH7110TR2PBF Nabídka
IRFH7110TR2PBF Nejnižší cena
IRFH7110TR2PBF Vyhledávání
IRFH7110TR2PBF Nákup
IRFH7110TR2PBF Chip