IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A
Číslo dílu
IRFH7188TRPBF
Výrobce/značka
Série
FASTIRFET™, HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 105A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2116pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35789 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7188TRPBF
IRFH7188TRPBF Elektronické komponenty
IRFH7188TRPBF Odbyt
IRFH7188TRPBF Dodavatel
IRFH7188TRPBF Distributor
IRFH7188TRPBF Datová tabulka
IRFH7188TRPBF Fotky
IRFH7188TRPBF Cena
IRFH7188TRPBF Nabídka
IRFH7188TRPBF Nejnižší cena
IRFH7188TRPBF Vyhledávání
IRFH7188TRPBF Nákup
IRFH7188TRPBF Chip