Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH7911TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Číslo dílu
IRFH7911TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
18-PowerVQFN
Výkon - Max
2.4W, 3.4W
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A, 28A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46238 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7911TR2PBF
IRFH7911TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH7911TR2PBF Odbyt
IRFH7911TR2PBF Dodavatel
IRFH7911TR2PBF Distributor
IRFH7911TR2PBF Datová tabulka
IRFH7911TR2PBF Fotky
IRFH7911TR2PBF Cena
IRFH7911TR2PBF Nabídka
IRFH7911TR2PBF Nejnižší cena
IRFH7911TR2PBF Vyhledávání
IRFH7911TR2PBF Nákup
IRFH7911TR2PBF Chip