Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH7911TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Číslo dílu
IRFH7911TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
18-PowerVQFN
Výkon - Max
2.4W, 3.4W
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A, 28A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12226 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7911TRPBF
IRFH7911TRPBF Elektronické komponenty
IRFH7911TRPBF Odbyt
IRFH7911TRPBF Dodavatel
IRFH7911TRPBF Distributor
IRFH7911TRPBF Datová tabulka
IRFH7911TRPBF Fotky
IRFH7911TRPBF Cena
IRFH7911TRPBF Nabídka
IRFH7911TRPBF Nejnižší cena
IRFH7911TRPBF Vyhledávání
IRFH7911TRPBF Nákup
IRFH7911TRPBF Chip