IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Číslo dílu
IRFH8202TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
47A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7174pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6245 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8202TRPBF Odbyt
IRFH8202TRPBF Dodavatel
IRFH8202TRPBF Distributor
IRFH8202TRPBF Datová tabulka
IRFH8202TRPBF Fotky
IRFH8202TRPBF Cena
IRFH8202TRPBF Nabídka
IRFH8202TRPBF Nejnižší cena
IRFH8202TRPBF Vyhledávání
IRFH8202TRPBF Nákup
IRFH8202TRPBF Chip