IRFH8330TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH8330TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Ta), 56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8330TR2PBF
IRFH8330TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH8330TR2PBF Odbyt
IRFH8330TR2PBF Dodavatel
IRFH8330TR2PBF Distributor
IRFH8330TR2PBF Datová tabulka
IRFH8330TR2PBF Fotky
IRFH8330TR2PBF Cena
IRFH8330TR2PBF Nabídka
IRFH8330TR2PBF Nejnižší cena
IRFH8330TR2PBF Vyhledávání
IRFH8330TR2PBF Nákup
IRFH8330TR2PBF Chip