Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH8337TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH8337TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54614 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH8337TR2PBF Odbyt
IRFH8337TR2PBF Dodavatel
IRFH8337TR2PBF Distributor
IRFH8337TR2PBF Datová tabulka
IRFH8337TR2PBF Fotky
IRFH8337TR2PBF Cena
IRFH8337TR2PBF Nabídka
IRFH8337TR2PBF Nejnižší cena
IRFH8337TR2PBF Vyhledávání
IRFH8337TR2PBF Nákup
IRFH8337TR2PBF Chip