Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHE4250DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Číslo dílu
IRFHE4250DTRPBF
Výrobce/značka
Série
FASTIRFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
32-PowerWFQFN
Výkon - Max
156W
Dodavatelský balíček zařízení
32-PQFN (6x6)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A, 303A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1735pF @ 13V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13289 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF Elektronické komponenty
IRFHE4250DTRPBF Odbyt
IRFHE4250DTRPBF Dodavatel
IRFHE4250DTRPBF Distributor
IRFHE4250DTRPBF Datová tabulka
IRFHE4250DTRPBF Fotky
IRFHE4250DTRPBF Cena
IRFHE4250DTRPBF Nabídka
IRFHE4250DTRPBF Nejnižší cena
IRFHE4250DTRPBF Vyhledávání
IRFHE4250DTRPBF Nákup
IRFHE4250DTRPBF Chip