IRFHM792TR2PBF
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM792TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
2.3W
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
251pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47323 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM792TR2PBF
IRFHM792TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM792TR2PBF Odbyt
IRFHM792TR2PBF Dodavatel
IRFHM792TR2PBF Distributor
IRFHM792TR2PBF Datová tabulka
IRFHM792TR2PBF Fotky
IRFHM792TR2PBF Cena
IRFHM792TR2PBF Nabídka
IRFHM792TR2PBF Nejnižší cena
IRFHM792TR2PBF Vyhledávání
IRFHM792TR2PBF Nákup
IRFHM792TR2PBF Chip