Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM792TRPBF
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM792TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
2.3W
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
251pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10480 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM792TRPBF
IRFHM792TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM792TRPBF Odbyt
IRFHM792TRPBF Dodavatel
IRFHM792TRPBF Distributor
IRFHM792TRPBF Datová tabulka
IRFHM792TRPBF Fotky
IRFHM792TRPBF Cena
IRFHM792TRPBF Nabídka
IRFHM792TRPBF Nejnižší cena
IRFHM792TRPBF Vyhledávání
IRFHM792TRPBF Nákup
IRFHM792TRPBF Chip