IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Číslo dílu
IRFHM830DTR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1797pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13065 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM830DTR2PBF Odbyt
IRFHM830DTR2PBF Dodavatel
IRFHM830DTR2PBF Distributor
IRFHM830DTR2PBF Datová tabulka
IRFHM830DTR2PBF Fotky
IRFHM830DTR2PBF Cena
IRFHM830DTR2PBF Nabídka
IRFHM830DTR2PBF Nejnižší cena
IRFHM830DTR2PBF Vyhledávání
IRFHM830DTR2PBF Nákup
IRFHM830DTR2PBF Chip